HTM11R8ET52-1 APD 光电二极管
敏感区域直径：Φ800μm
关键词：
HTM11R8ET52-1 APD 光电二极管
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■ 特色
● 硅APD光电二极管
● 波长范围：400nm~1100nm
● 敏感区域直径：Φ800μm
● 高击穿电压：≥300V
● 低暗电流
● 高灵敏度
● TO52 密封封装
■ 应用
● 光功率计、激光测量仪、安全监测
● 近红外探测、激光测距、光通信
■ 规格
表1 典型参数
| 参数 俄罗斯 | 符号 | T 这些条件 （Ta=23℃，λ=1064nm，M=100，Pin=1μW） | 最小 | T 典型的 | M 轴 | 你 氮 s |
| 敏感直径 | D | -- | -- | 0.88 | --- | 毫米 |
| 波长范围 | λ | --- | 400 | --- | 1100 | 纳米 |
| 击穿电压 | VBR | IR=10微安 | 300 | -- | -- | V |
| 敏感性① | 重新 | --- | 30 | 36 | -- | A/W |
| 暗电流 | 标识符 | 深色背景 | -- | 5 | 12 | 纳安 |
| junction电容② | CT | f=1MHz | -- | 2.5 | 4.0 | 皮法 |
| VBR的温度漂移 | δ | -- | -- | 2.4 | 3.0 | V/℃ |
| 正向电流 | 如果 | -- | -- | -- | 1 | 毫安 |
| 位移距离③ | -- | -- | 1.24 | --- | 毫米 |
注释：
① 为获得M=100，建议工作电压设置为VR=0.8~0.85×VBR；
② 当工作电压VR>55V时，结电容基本小于5pF；
③ 移动距离 = 外侧窗口表面与感光表面之间的距离，窗口材料为DM305，厚度为0.5毫米。
■ 特性
图1 敏感度与波长的关系
图2 乘法与VR